收藏本站
NTMD4184PF
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.6
10,000
1.5
ID = 3 A
V GS = 0 V
1.4
1.3
1.2
1.1
V GS = 10 V
1000
T J = 150 ° C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
100
10
T J = 125 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
400
350
300
T J = 25 ° C
C iss
10
8
QT
V GS
250
6
200
150
4
Q1
Q2
100
C oss
2
ID = 3 A
50
0
V GS = 0 V
C rss
0
T J = 25 ° C
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
100
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = 15 V
3.0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
ID = 1.0 A
V GS = 10 V
t f
2.5
2.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(off)
1.5
t d(on)
1.0
0.5
1
0
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMD4820NR2G MOSFET N-CH DUAL 30V 4.9A 8-SOIC
NTMD4840NR2G MOSFET N-CH DUAL 30V 4.5A 8-SOIC
NTMD4884NFR2G MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC
NTMD5836NLR2G MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL
NTMD5838NLR2G MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC
NTMD6N02R2 MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
NTMD6N03R2 MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
NTMD6P02R2G MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
相关代理商/技术参数
NTMD4820N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTMD4820NR2G 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD4840N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Dual N−Channel, SOIC−8
NTMD4840NR2G 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD4884NF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode
NTMD4884NFR2G 功能描述:MOSFET NFET FTKY S08 30V TR 5.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD4N03 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 4 A, 30 V, Na??Channel SOa??8 Dual
NTMD4N03R2 功能描述:MOSFET 30V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube